Nanoscale Transistors Device Physics, Modeling and Simulation /

NANOSCALE TRANSISTORS: Device Physics, Modeling and Simulation describes the recent development of theory, modeling, and simulation of nanotransistors for electrical engineers, physicists, and chemists working with nanoscale devices. Simple physical pictures and semi-analytical models, which were va...

תיאור מלא

שמור ב:
מידע ביבליוגרפי
Main Authors: Lundstrom, Mark. (Author, http://id.loc.gov/vocabulary/relators/aut), Guo, Jing. (http://id.loc.gov/vocabulary/relators/aut)
מחבר תאגידי: SpringerLink (Online service)
פורמט: אלקטרוני ספר אלקטרוני
שפה:English
יצא לאור: New York, NY : Springer US : Imprint: Springer, 2006.
מהדורה:1st ed. 2006.
נושאים:
גישה מקוונת:https://doi.org/10.1007/0-387-28003-0
תגים: הוספת תג
אין תגיות, היה/י הראשונ/ה לתייג את הרשומה!
תוכן הענינים:
  • Basic Concepts
  • Devices, Circuits, and Systems
  • The Ballistic Nanotransistor
  • Scattering Theory of the MOSFET
  • Nanowire Field-Effect Transistors
  • Transistors at the Molecular Scale.