SiGe, GaAs, and InP heterojunction bipolar transistors /

Saved in:
Bibliographic Details
Main Author: Yuan, Jiann S., 1959- .
Format: Book
Language:English
Published: New York : John Wiley, 1999.
Series:Wiley series in microwave and optical engineering.
Subjects:
Tags: Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
LEADER 00932nam a2200241 a 4500
001 vtls000302970
003 UPM
005 20161022011417.0
008 040416s1999 nyu a 001 0 eng d
020 |a 0471197467(cloth : alk. paper) 
039 9 |a 200804290623  |b VLOAD  |c 200606221536  |d mgr  |c 200405310918  |d azana  |c 200405310915  |d azana  |y 200404161611  |z sazali 
040 |c UPM 
090 0 0 |a TK7871.96 B55Y94 
100 1 |a Yuan, Jiann S.,  |d 1959- . 
245 1 0 |a SiGe, GaAs, and InP heterojunction bipolar transistors /  |c Jiann S. Yuan. 
260 |a New York :  |b John Wiley,  |c 1999. 
300 |a 463p. :  |b ill. ;  |c 24cm. 
490 0 |a Wiley series in microwave and optical engineering. 
650 0 |a Bipolar transistors. 
650 0 |a Junction transistors. 
942 |2 lcc  |c 10000 
999 |c 228260  |d 228260 
952 |0 0  |1 0  |4 0  |6 TK787196 B55 Y94  |7 0  |9 348382  |a 10000  |b 10000  |c 10000  |d 2016-10-22  |o TK7871.96 B55Y94  |p 1000526724  |r 2016-10-22  |w 2016-10-22  |y 10000